TCAD端
TCAD端结构
FDTD每一结构与TCAD结构只要x_span、y_span、z_span相同即可（安放电极部分或可延申？），FDTD给出了G(x,y,z,G_export)，后面MATLAB把G(x,y,z,G_export)里面G_export（一维数据），根据x,y转换成X行Y列的矩阵，并转置，倒放。 (2D结构：厚度z在TCAD设置两个相邻极薄的)
x轴（横向）：
- cellwidth = 8.64 µm → 电池从 x = -4.32 到 +4.32 µm
- contactreg = 1/9 → 接触区宽 = 8.64 × (1/9) ≈ 0.96 µm
- cathode（阴极）在 x = -5.28 到 -4.32 µm（电池左边再往左）
y轴（纵向，从上往下）：
| TCAD层名称 | 材料 | 掺杂类型 | 掺杂浓度 (cm⁻³) | y 范围 (µm) | 厚度 (µm) |
|---|---|---|---|---|---|
| Vacuum | — | — | — | -0.05 | — |
| Window | GaSb | n型 | 1×10¹⁹ | -0.05 → 0 | 0.05 |
| Emitter | GaInAsSb | n型 | 1×10¹⁷ | 0 → 0.1 | 0.1 |
| Base | GaInAsSb | p型 | 1×10¹⁷ | 0.1 → 2.0 | 1.9 |
| BSF | GaSb | p型 | 2×10¹⁸ | 2.0 → 2.05 | 0.05 |
| FDTD区域名称 | 区间范围 |
|---|---|
| windowlay | 0.85 → 0.9 |
| GaInAsSb | -1.15 → 0.85 |
| AlGaAsSb | -1.2 → -1.15 |
| metalBSR | -1.41 → -1.2 |
| SiO₂ | -10 → -1.41 |
| 1、提出问题: |
| 2、猜想假设: |
| 3、设计实验: |
 \t
|
| 4、进行试验: |
| 5、数据处理: |
| 6、得出结论: |